ファイバグレーティングを用いた外部共振器レーザの数値解析
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概要
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ファイバグレーティングを用いた外部共振器型半導体レーザは波長選択性が高くWDM用光源として期待されているが、温度変化時のモードホッピング現象により発振が不安定になることが懸念される。本報告では、ファイバグレーティングの反射特性を考慮した共振条件の解析及び半導体光アンプの特性解析を組合せる手法からモードホッピング現象のシミュレーションを実施した。シミュレーション結果は実測とよく一致することから解析手法の妥当性が確認され、また発振波長の温度変化率は一般的なDFBレーザよりも小さいことを示した。さらに発振波長及びモード間利得差の温度変化に着目し、シミュレーションからレーザ構造と温度特性の関係について明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-19
著者
-
塩崎 学
住友電気工業株式会社
-
佐々木 吾朗
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
高城 政浩
住友電気工業株式会社横浜研究所
-
加藤 隆志
新情報光インターコネクション住電研究室
-
佐々木 吾朗
新情報光インターコネクション住電研究室
-
高城 政浩
住友電気工業株式会社横浜研究所線路研究部
-
高城 政浩
住友電気工業株式会社・cae研究センター
-
塩崎 学
住友電気工業 解析技研セ
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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