直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ファイバグレーティングレーザ(FGL)は波長安定性が高く、且つ低チャープなため、DWDM用光源として注目されている。我々は、開発したFGLに関し、DWDM伝送実験と、ヒートサイクル試験による信頼性評価を行った。伝送実験においては、2.5Gbps直接変調において、チャンネル間隔12.5及び25GHzの高密度伝送が行ったが、隣接チャンネルからのクロストークによるBER特性の劣化が殆ど見られず、300kmまで良好な伝送結果が得られた。またヒートサイクル試験では、試験前後での特性変動は微小な範囲に収まり、ハードな外的温度変化に対しても、実用レベルの高い耐性を有することを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-19
著者
-
橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
岩島 徹
住友電気工業株式会社横浜研究所
-
茂原 政一
住友電気工業株式会社横浜研究所
-
塩崎 学
住友電気工業株式会社
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所
-
佐々木 吾朗
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
高木 敏男
住友電気工業株式会社光インターコネクション住電研究室, RWCP
-
村嶋 清孝
住友電気工業株式会社横浜研究所
-
佐々木 吾朗
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
高木 敏男
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
岩島 徹
住友電気工業株式会社
-
村嶋 清孝
住友電気工業株式会社
-
佐々木 吾朗
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
茂原 政一
住友電気工業 横浜研
-
茂原 政一
住友電気工業株式会社光通信研究所
-
塩崎 学
住友電気工業株式会社解析技術研究センター
-
塩崎 学
住友電気工業株式会社cae研究センター
-
塩崎 学
住友電気工業 解析技研セ
-
加藤 隆志
住友電気工業(株)
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業
関連論文
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- ファイバーグレーティングとその応用
- 厳密結合波理論を用いた多層膜回折格子の偏波無依存設計およびその試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- 微小ロッドレンズを用いた8チャンネルコリメート系
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いた周波数間隔25GHzでのDWDM伝送
- ファイバーグレーティング内蔵型1480nm帯励起レーザモジュール
- C-4-6 ファイバーグレーティング外部共振器レーザのファイバ曲げに対する信頼性
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- グレーティングを用いた広帯域波長可変光源
- B-10-104 LバンドEDFAにおけるロックトインバージョン法評価の検証
- 側方反射法による光ファイバ被覆偏肉の測定
- C-3-48 EDFA 温度特性補償型ハイブリッド利得等化器の開発
- C-3-145 スラント型ファイバグレーティングのPDL低減の検討
- C-3-144 ファイバグレーティング型広帯域遮断フィルタ
- ファイバグレーティング型広帯域遮断フィルタ
- ファイバグレーティング型広帯域遮断フィルタ
- ファイバグレーティング型広帯域遮断フィルタ
- ファイバグレーティング型広帯域遮断フィルタ
- C-3-123 クラッドモード選択結合ファイバグレーティング型損失フィルタ
- C-3-119 低NAファイバを用いたスラントファイバグレーティング
- C-3-118 放射モードロスを抑えた分散調整用多チャンネルFBG
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHzおよび25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- D-WDM用ファイバグレーティング外部共振器型レーザモジュール
- D-WDM用ファイバグレーティング外部共振器型レーザモジュール
- ファイバグレーティング外部共振器型多波長レーザアレイ
- 水素添加ガラスの光誘起屈折率変化
- 位相格子を用いたファイバグレーティングの作製
- ファイバグレーティングの作成と応用について
- C-3-11 低分散バンドセパレーションFBGの開発
- C-3-142 低分散型FBGを用いた10Gb/sペナルティーフリー多段ADM伝送実験
- ファイバグレーティング型可変分散補償器
- C-3-116 ファイバカプラブラッググレーティング型ADMの検討
- ファイバグレーティングレーザ動特性の数値解析
- 液晶ポリマーチューブを用いたファイバグレーティングの温度補償実装
- ASE除去用ファイバグレーティングによるEDFA多段増幅系の特性改善
- 温度補償実装ファイバグレーティングの長期信頼性
- ファイバグレーティングのべき型熱劣化特性および長期劣化予測
- 単心ファイバ用メカニカルスプライスの開発
- MTマスタコネクタの検討
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光ファイバグレーティングとその応用
- 波長安定型狭帯域OTDR光源
- 外部プローブ光によるファイバグレーティングの構造測定
- 光線路網におけるファイバグレーティングの応用
- 波長安定型狭帯域OTDR光源
- ファイバグレーティングを用いたEDFA励起用0.98μmLD
- ファイバグレーティングを用いた縦単一モードLD
- ファイバグレーティングレーザの隙間計測への応用
- ファイバグレーティングを用いた多点ファイバセンサの検討
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-121 サンプルド長周期グレーティング
- 長周期ファイバグレーティング利得等化器
- 被覆上照射ファイバグレーティング
- 位相シフト長周期グレーティング
- 紫外線書込型長周期ファイバグレーティングの熱緩和特性解析(超高速・大容量光伝送/処理,波分散,及びデバイス技術,一般)
- 紫外線書込型長周期ファイバグレーティングの熱緩和特性解析
- 紫外線書込型長周期ファイバグレーティングの熱緩和特性解析
- C-3-90 高信頼性の被覆上照射長周期グレーティング
- C-3-72 縦列長周期ファイバグレーティングによるLバンド用利得等化器
- C-3-55 長周期ファイバグレーティングの熱緩和特性
- 長周期グレーティングの透過特性リップル抑圧
- 長周期ファイバグレーティングの損失特性の張力依存性
- 残留応力緩和型長周期グレーティング
- LDトランシーバを用いた光伝送装置の試作
- 残留応力緩和により純シリカコアファイバに作製した長周期光ファイバグレーティング
- C-3-32 縦列長周期グレーティングによる広帯域利得等化器
- C-3-53 被覆上から作製したファイバグレーティング
- フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作