GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 光ラベル符号を用いた光信号処理技術は、高速、低コストのフォトニックネットワーク実現のためには必要不可欠である。GaInNAs半導体光増幅器とGaAs光導波路をGaAs基板上にモノリシック集積した4bitの半導体光符号化デバイスを作製し、光ラベル符号器として動作することを実証した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-10-15

著者

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業(株)横浜製作所

• 猪口 康博

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 茂典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会

• 小山 健二

  財団法人光産業技術振興協会

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会

• 勝山 造

  財団法人光産業技術振興協会

• 猪口 康博

  財団法人光産業技術振興協会

• 山田 隆史

  財団法人光産業技術振興協会

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  財団法人光産業技術振興協会

• 伊東 雅史

  住友電気工業

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  研究開発部門

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社

• 高岸 成典

  住友電エオプトエレクトロニクス研

関連論文

• ナノインプリント技術を応用した光通信用レーザの作製
• C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
• GaInAsPレーザの端面活性層での光吸収による劣化機構とその抑制策
• GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
• GaInAsP LDのESD劣化機構解析と劣化抑制技術開発
• GaInAsP/InPレーザのESD劣化解析
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いた周波数間隔25GHzでのDWDM伝送
• ファイバグレーティング付き半導体レーザ
• 直線型光導波路とフィルタ付PDを用いた1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
• C-3-51 ポリマー直線導波路を使った1.3/1.55μm-芯双方向モジュール
• InGaAsP/InGaAs WDM-PDモジュールの開発
• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C3-35 多チャンネル可変光減衰器(VOA)の低消費電力化
• 半透過型PDを用いたTCM光送受信モジュールの開発(I) : PDの基本特性
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHzおよび25GHzでのDWDM伝送
• 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
• ファイバグレーティング付き半導体レーザ
• ファイバグレーティング付き半導体レーザ
• ファイバグレーティング付き半導体レーザ
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
• GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
• GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 情報通信 埋め込みトンネル接合を用いた長波長GaInNAs VCSEL
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
• B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
• 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
• 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
• 50%透過型PDを用いたTCM用双方向光モジュールの開発
• 3インチ径Feド-プInP基板上のInGaAs層の結晶性評価
• フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ
• 分布帰還型半導体レーザの回折格子へのUVナノインプリント技術の応用 (特集 インプリントリソグラフィのフォトニクスへの応用)
• C-4-16 ナノインプリント技術を用いたDFBレーザの作製(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 半透過型PDを用いたTCM用光送受信モジュールの開発(II)送受信モジュールの特性
• 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
• 情報通信 Sb添加によるGaInNAs量子井戸の光学特性の改善
• オプトエレクトロニクス・光デバイス
• 全有機金属原料OMVPE法による大面積,超高効率太陽電池の開発
• C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 携行型人肌検出装置の開発(研究速報)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
• 携行型人肌検出装置の開発
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
• 24aWE-4 GaInNAs/GaAs量子井戸構造の発光特性に対する局在効果(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク