情報通信 Sb添加によるGaInNAs量子井戸の光学特性の改善
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
直線型光導波路とフィルタ付PDを用いた1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
-
C-3-51 ポリマー直線導波路を使った1.3/1.55μm-芯双方向モジュール
-
InGaAsP/InGaAs WDM-PDモジュールの開発
-
OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
-
[招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
-
半透過型PDを用いたTCM光送受信モジュールの開発(I) : PDの基本特性
-
21pTG-13 GaAsに格子整合したInGaAsN/GaAs量子井戸構造のタイプ-IIポテンシャル構造の検証(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
-
C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
-
C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
-
ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
-
B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
-
GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
-
3インチ径Feド-プInP基板上のInGaAs層の結晶性評価
-
19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
-
20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
-
情報通信 Sb添加によるGaInNAs量子井戸の光学特性の改善
-
全有機金属原料OMVPE法による大面積,超高効率太陽電池の開発
-
低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク