低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
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概要
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窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面積効率のデバイスが期待できる。我々はこれまで低転位GaN基板上に電界効果トランジスタ(FET)およびショットキーバリアダイオード(SBD)の縦型デバイスを作製し、静特性にて評価・実証してきた。今回さらに、縦型GaN-SBDでの逆回復特性評価を行い,SiダイオードやSiCダイオードと比較して高速なターンオフ特性を示した.また縦型GaN-SBDの長期通電試験を行い,順方向・逆方向ともに1000時間まで安定した結果を得た.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-09
著者
-
木山 誠
住友電気工業(株)伊丹研究所
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善積 祐介
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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石塚 貴司
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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岡田 政也
住友電気工業株式会社
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上野 昌紀
住友電気工業
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三橋 史典
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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吉本 晋
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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石原 邦亮
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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住吉 和英
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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平野 英則
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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