GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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我々は、GaAs回折格子がストライプ領域の活性層直上に形成され、再成長GaInPクラツド層で埋め込まれた、垂直結合型のGaInNAs系DFBレーザを初めて開発した。回折格子及びその隣接層にAlフリーの材料を用いて酸化を抑制することで、回折格子上への良好な埋め込み再成長を実現し、DFBレーザとしての発振に成功した。未実装、CW条件下で、25℃で閾値電流14.6mAで発振し、110℃までの発振が得られ、且つ100℃まで直線性の良好なI-L特性が得られた。また25〜100℃の範囲で、SMSR>40dBの良好なDFBレーザ発振が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
-
橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
山田 隆史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
石塚 貴司
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
藤井 康祐
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
石塚 貴司
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
藤井 康祐
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
山田 隆史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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