C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業
-
辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業(株)
-
八木 英樹
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
稲田 博史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
村田 誠
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業
-
稲田 博史
住友電気工業株式会社
関連論文
- ナノインプリント技術を応用した光通信用レーザの作製
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- GaInAsP/InPレーザのESD劣化解析
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いた周波数間隔25GHzでのDWDM伝送
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C3-35 多チャンネル可変光減衰器(VOA)の低消費電力化
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHzおよび25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- D-WDM用ファイバグレーティング外部共振器型レーザモジュール
- D-WDM用ファイバグレーティング外部共振器型レーザモジュール
- ファイバグレーティング外部共振器型多波長レーザアレイ
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- C-3-1 DWDM用波長検出機構の検討
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- C-3-105 パッシブアライメント構造を用いた小型10Gb/s PIN-AMPモジュールの開発
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 斜め端面を有するファイバグレーティングレーザ用半導体光アンプの作製と評価
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
- 内部ロス低減によるCWDM DFBレーザの最適化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 分布帰還型半導体レーザの回折格子へのUVナノインプリント技術の応用 (特集 インプリントリソグラフィのフォトニクスへの応用)
- C-4-16 ナノインプリント技術を用いたDFBレーザの作製(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 通信用半導体レーザの開発
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- 基礎からわかるナノデバイス, 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎(共著), コロナ社, 2011-03, A5判, 定価(本体3,400円+税)
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- C-4-15 バットジョイントによるInP系90°ハイブリッド集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- OFC/NFOEC2013報告 : アクティブモジュール/集積デバイス・シリコンフォトニクス(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,光増幅・中継技術,非線形・偏波問題,コア・メトロシステム,海底伝送システム,光伝送システム設計・ツール,一般(OFC報告))
- B-10-86 InP系90゜ハイブリッド集積型PDを用いた100Gb/s小型コヒーレントレシーバ(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- C-4-10 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型PDアレイの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)