ファイバグレーティング外部共振器型多波長レーザアレイ
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概要
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半導体アンプ、及びファイバグレーティングをアレイ化した、ファイバグレーティングレーザ(FGL)アレイを作製し、4波長同時発振が得られた。発振波長間隔は1nmであり、各発振波長のファイバグレーティングの回折波長からのずれは、0.2nm以内であった。以上の結果は、高密度WDMシステムに用いる多波長光源として、FGLアレイの可能性を示すものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-15
著者
-
茂原 政一
住友電気工業株式会社横浜研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所
-
佐々木 吾朗
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
高木 敏男
住友電気工業株式会社光インターコネクション住電研究室, RWCP
-
佐々木 吾朗
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
高木 敏男
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
濱川 篤志
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
浜川 篤志
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所、半導体光デバイス研究部
-
佐々木 吾朗
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
茂原 政一
住友電気工業 横浜研
-
茂原 政一
住友電気工業株式会社光通信研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業(株)
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業
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