3インチ径InP基板上へのGbit/s帯pin/HEMT受信OEICの作製
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概要
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InP基板上に作成された受信OEICは近年その特性を向上し,ほぼ実用性能を示すに至っている.しかし,使用する基板径は大きくても2インチであり,今後OEICを利用化していくことを考えるとウェーハ径の拡大は必須である.そこで本研究では,GaInAs pin PDとAInAs/GaInAs HEMTを集積化したpin/HEMT受信OEICの3インチ径InP基板上への作製の検討を行った.まず,3インチ径InP基板上にOMVPE法を用いてGaInAs層,AIInAs/GaInAs HEMT構造の成長を行い,その電気的,光学的特性の良好な均一性を確認した.このエピタキシャル層を用いて3インチ径InP基板上に2.4Gbit/s帯トランスインピーダンス型受信OEICを作製した.評価の結果,3インチウェーハ面内150チップの平均帯域2.78GHz,その標集偏差280MHzと均一な帯域分布を得た.また,トランスインピーダンスは61.1dBΩ,最小受信感度は-24.9dBmであった.今回得られた受信OEICの性能およびそのウェーハ面内均一性は,3インチ径InP基板上に作成した受信OEICが十分に実用になることを示すものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-25
著者
-
西山 直樹
住友電気工業(株)
-
佐々木 吾朗
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
村田 道夫
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
佐々木 吾朗
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
道口 健太郎
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
林 秀樹
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
道口 健太郎
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
村田 道夫
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所
-
西山 直樹
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
佐々木 吾朗
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
林 秀樹
住友電気工業株式会社
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