ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
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概要
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電子ビーム露光法とCH_4/H_2反応性イオンエッチング及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いることにより作製されたGaInAsP/InP量子細線レーザの室温連続動作を初めて実現した。細線幅23nm、周期80nmの歪補償5層量子細線構造を有するレーザ素子(共振器長1.15mm、ストライプ幅15μm)において、しきい値電流密度802A/cm^2、外部微分量子効率36%が得られた。また、上記レーザを室温CW条件下において寿命測定を行った結果、4300時間経過後も光出力に目立った劣化は観測されなかった。以上の結果より、ドライエッチング及び再成長法により作製されたGaInAsP/InP量子細線レーザが良好な初期信頼性を有していることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-27
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
ハク アニスル
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
佐野 琢哉
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐野 琢哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐野 琢哉
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
-
八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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