低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
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概要
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電子ビーム露光法とCH_4/H_2-RIEおよびOMVPE埋め込み再成長法を用いることにより、GaInAsP/InP歪補償5層細線レーザ(周期100nm、細線幅43nm)を作製した結果、共振器長1.24mm、ストライプ幅20μmの素子において80℃まで、同一基板上に作製された量子薄膜レーザよりも低いしきい値電流密度・高い外部微分量子効率が得られた。自然放出光スペクトルならびに媒質利得スペクトル測定を行ったところ、両者に異差は見られなかった。これらの結果から、細線レーザの高性能動作は活性層の体積効果によるものであること、および本作製法が極微構造の低損傷形成に有効であることを明らかにした。
- 2001-06-29
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
村主 賢悟
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
緑川 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
村主 賢悟
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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