C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
小口 貴之
東京工業大学電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
小口 貴之
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
姜 〓〓
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
-
荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
雨宮 智宏
東京工業大学
-
西山 伸彦
東京工業大学
関連論文
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- テーパ状導波路半導体光増幅器の利得飽和特性と光結合効率
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
- 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作
- 28p-ZC-9 GaInAsP/InP低次元量子井戸構造のためのCH_4/H_2ドライエッチング/埋込み再成長
- 28p-B-10 CH_4/H_2-RIEとOMVPE埋め込み再成長によるGaInAsP/InP DFBレーザの作製
- 28a-B-9 1.55μm波長GaInAsP/InP圧縮歪多重量子井戸レーザの温度特性
- 29p-ZH-4 GaInAsP/InP細線レーザの自然放出光からの表面再結合速度の見積もり
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 第19回インジウム燐および関連材料国際会議 (IPRM2007) 報告
- テーパ状導波路を有する半導体光励起方向性結合型光スイッチ
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光通信帯における左手系光制御素子の設計(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- GaInAsP/InP長波長帯量子細線半導体レーザ
- EB露光法による極微構造の作製とGaInAsP/InP量子細線レーザへの応用
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
- 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
- 1.55μm波長帯半導体/ベンゾシクロブテン(BCB)分布反射器(DBR)レーザ
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 低次元量子井戸半導体レーザにおけるフォトンリサイクリング効果
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
- DFB導波路を用いた全光スイッチの偏光無依存化
- DFB導波路を用いた全光スイッチの偏光無依存化
- 垂直回折格子を有する1.5μm波長分布反射型レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 動的単一モ-ドレ-ザとその動的波長変動 (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- 2.動的単一モードレーザ(光デバイス)
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- CT-1-2 SOI基板上のアクティブ光デバイス(CT-1.ヘテロジニアス・インテグレーション技術の現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 回折を考慮した多重極微共振器半導体レーザの理論解析
- CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- 超ヘテロ構造によるフォトニクス材料の探索--高性能光デバイスの実現を目指して (特集:次世代人工物質・材料の探査的研究)
- 最近の集積半導体レ-ザ- (光集積回路特集号)
- 光導波路集積動的単一モ-ドレ-ザ- (「半導体レ-ザ-とその製作」特集号)
- 半導体レ-ザ-の高出力化 (「21世紀に向けたレ-ザ-の発展--現状と今後の見通し」特集号) -- (基礎的パラメ-タ-の極限)
- a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
- C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)