渥美 裕樹 | 東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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荒井 滋久
東京工業大学
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渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学
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渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学
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雨宮 智宏
東京工業大学
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雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
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雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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林 佑介
東京工業大学工学部電気電子工学科
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長部 亮
東京工業大学電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工業大学
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福田 渓太
東京工業大学
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サイファー 豪士
電気電子工学科
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小口 貴之
東京工業大学電気電子工学専攻
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小口 貴之
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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サイファー 豪志
東京工業大学電気電子工学科
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福田 渓太
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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鈴木 純一
東京工業大学電気電子工学専攻
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李 智恩
東京工業大学
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鈴木 純一
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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井上 敬太
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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雨宮 智宏
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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高橋 大佑
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
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前田 泰奈
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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李 智恩
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工大
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西山 伸彦
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学電気電子工学科
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西川 佳宏
東京工業大学電気電子工学科
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学工学部 電気電子工学科
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西川 佳宏
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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山原 佳晃
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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福田 渓太
東京工業大学電気電子工学専攻
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カン ジュンヒョン
東京工業大学
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進藤 隆彦
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学/量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学電気電子工学専攻:電気電子工学科
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姜 唆舷
東京工業大学電気電子工学専攻
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姜 唆〓
東京工業大学電気電子工学専攻
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雨宮 智宏
量子ナノエレクトロニクス研究センター
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姜 唆絃
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
- アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討
- C-3-62 AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- C-3-11 ポリマー埋め込み温度無依存Siスロット波長フィルタの吸湿耐性材料依存性(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-14 高効率多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-41 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-40 GalnAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のためのテーパー構造設計(C-3.光エレクトロニクス)