オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
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概要
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Si-LSI上InP系薄膜光集積回路の実現のために、その基本要素である細線導波路とそれを利用した受動素子の設計と作製法の検討を行った。BCB(Benzocyclobutene) を介してSi基板上に形成したGaInAsP薄膜に、電子線描画法とドライエッチングで作製したGaInAsP細線導波路の側壁粗さと伝搬損失の関係を明らかにし、低損失化技術の検証を行った。その結果、Si基板上化合物細線導波路において最小値となる4 dB/cmの伝搬損失を達成した。次に、この作製法を用いて、光信号を2分岐する多モード干渉導波路の構造設計・作製を行い、c-band内で平均挿入損失3dB を得た。また、レーザと細線導波路間のモード分布の不一致による結合損失を計算し、各素子間にテーパ型モード変換器を挿入することにより結合効率を99%に向上する集積素子の構造設計を行った。
- 2012-12-14
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
山原 佳晃
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学/量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
李 智恩
東京工業大学
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