EB露光法による極微構造の作製とGaInAsP/InP量子細線レーザへの応用
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概要
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量子細身(ドット)レーザの実現のためには高密度、均一な極微細構造の作製技術が必要である。本研究では、電子ビーム露光法とウェットケミカルエッチング及び埋め込み再成長法を用いて1.5μm帯GaInAsP/InP量子細線レーザを作製した。まずサイズ揺らぎの測定を行ったところ、周期50nmのレジストパターンにおいて平均幅30.7nm、サイズ揺らぎは±1.1nm(3.6%)であった。この技術により作製した量子細線レーザ(周期70nm)の温度依存性を測定した結果、低温において同一基板上に作製した量子薄膜レーザより低しきい値電流、高微分量子効率となり、T=98Kにおいてはしきい値電流密度が43A/cm^2という非常に低い値が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-08
著者
-
小島 隆
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
中谷 洋幸
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
田中 英
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 宗久
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
賈 学英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 宗久
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田中 英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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