深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
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概要
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一回のドライエッチングプロセスを用いて、1.55μm波長帯GaInAsP単一波長レーザを試作した。複合共振器間や導波路側面での回折損失を低減するためだけでなく、エッチング後の表面パッシベーションおよびプロセスハンドリング中の損傷から守るために、エッチング表面をベンゾジクロブテン(BCB)ポリマーで保護した。15周期の半導体(5/4)波長幅)/BCB(3/4波長幅)からなる高反射率(95%)の分布反射器(DBR)構造を片端面に有するレーザを試作した。単一モード動作を実現するために、多重共振器構造の解折および試作を行った。二つの複合共振器からなるレーザにおいて、しきい値の1.8倍のバイアス電流での副モード抑圧比(SMSR)36dBが得られた。また、この作製技術を用いて垂直回折格子を有するDFBレーザの提案・試作を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-06
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
ラジュ モティ
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
ウィドマン ヨルク
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
海老原 幸司
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
松井 研輔
日立電線(株)アドバンス技術研究所
-
ラジュ モティ・マダン
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
松井 研輔
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
海老原 幸司
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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