28p-ZC-9 GaInAsP/InP低次元量子井戸構造のためのCH_4/H_2ドライエッチング/埋込み再成長
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-03-28
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
中村 円香
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
福士 一郎
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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