荒井 滋久 | 東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学

• 進藤 隆彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学

• 雨宮 智宏

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Amemiya Tomohiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 雨宮 智宏

  東京大学先端科学技術研究センター

• 高橋 大佑

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 渥美 裕樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 渥美 裕樹

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 高橋 大佑

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 李 承勲

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 二見 充輝

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 土居 恭平

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 二見 充輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 田島 典明

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 田島 典明

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 白尾 端基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 小田 学

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• Parekh D.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Yang W.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Guo P.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Chang-Hasnain C.J.

  カリフォルニア大学バークレー校

• 土居 恭平

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• PAREKH Devang

  カリフォルニア大学バークレー校

• YANG Weijian

  カリフォルニア大学バークレー校

• GUO Peng

  カリフォルニア大学バークレー校

• CHANG-HASNAIN Connie

  カリフォルニア大学バークレー校

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 長部 亮

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 明賀 聖慈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• Chang-hasnain Connie

  カリフォルニア大バークレー校

• Yang Weijian

  カリフォルニア大バークレー校

• 信野 圭祐

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 佐藤 憲明

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 佐藤 孝司

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 佐藤 孝司

  東京工業大学 電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 林 佑介

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学

• 李 智恩

  東京工業大学

• 李 智恩

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 福田 渓太

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 山原 佳晃

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 林 侑介

  東京工業大学

• 福田 渓太

  東京工業大学

• 白尾 瑞基

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 伊藤 瞳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 伊藤 瞳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工大

• 白尾 瑞基

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• サイファー 豪志

  東京工業大学電気電子工学科

• 進藤 隆彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• サイファー 豪士

  電気電子工学科

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 井上 敬太

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 李 承勲

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 信彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  理工学研究科電気電子工学専攻

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 近藤 大介

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 前田 泰奈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学電気電子工学科

• 西川 佳宏

  東京工業大学電気電子工学科

• 村井 英淳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 林 侑介

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 林 侑介

  東京工業大学工学部 電気電子工学科

• 西川 佳宏

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 山原 佳晃

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 土居 恭平

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 進藤 隆彦

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 福田 渓太

  東京工業大学電気電子工学専攻

• カン ジュンヒョン

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学/量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 姜 唆舷

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 鈴木 純一

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 鈴木 純一

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 厚地 祐輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 平谷 拓生

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

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著作論文

• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 光通信帯における左手系光制御素子の設計(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
• C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
• 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-3-62 AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-93 InP系横接合型半導体薄膜能動光素子と細線光導波路のテーパー結合(導波路解析,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
• C-3-14 高効率多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-9 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの極低消費電力構造の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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