高橋 大佑 | 東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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高橋 大佑
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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高橋 大佑
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学
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西山 伸彦
東京工業大学
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李 承勲
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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田島 典明
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
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雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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田島 典明
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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Guo P.
カリフォルニア大学バークレー校
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雨宮 智宏
東京工業大学
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Parekh D.
カリフォルニア大学バークレー校
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Yang W.
カリフォルニア大学バークレー校
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Chang-Hasnain C.J.
カリフォルニア大学バークレー校
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PAREKH Devang
カリフォルニア大学バークレー校
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YANG Weijian
カリフォルニア大学バークレー校
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GUO Peng
カリフォルニア大学バークレー校
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CHANG-HASNAIN Connie
カリフォルニア大学バークレー校
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雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
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Chang-hasnain Connie
カリフォルニア大バークレー校
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Yang Weijian
カリフォルニア大バークレー校
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Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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李 承勲
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 信彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 伸彦
理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光通信帯における左手系光制御素子の設計(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期