勝山 造 | 住友電気工業

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概要

• 同名の論文著者
• 住友電気工業の論文著者

関連著者

• 勝山 造

  住友電気工業

• 勝山 造

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 石塚 貴司

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 藤井 康祐

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 山口 章

  住友電気工業

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 福田 智恵

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 中西 裕美

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 佐々木 吾朗

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 山口 章

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 中西 裕美

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 加藤 隆志

  住友電気工業(株)

• 加藤 隆志

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 加藤 隆志

  住友電気工業

• 山林 直之

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 木山 誠

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 木山 誠

  住友電気工業(株)伊丹研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業株式会社半導体技術研究所

• 中田 健

  住友電気工業

• 中田 健

  ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ

• 中村 孝夫

  山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻

• 中村 孝夫

  住友電工半導体研究所

• 加藤 隆志

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 吉田 和宣

  住友電気工業株式会社フォト・エレクトロン事業部

• 北山 賢一

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 山林 直之

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 山林 直之

  光インターコネクション住電研究室 Rwcp

• 猪口 康博

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 上野 昌紀

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 片山 浩二

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 村田 道夫

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 佐々木 吾朗

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 八重樫 誠司

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体研究所

• 北山 賢一

  住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会

• 中村 孝夫

  住友電気工業

• 村田 道夫

  住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業

• 石田 晶

  研究開発部門

• 猪口 康博

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 佐々木 吾朗

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 岡田 政也

  住友電気工業株式会社

• 斎藤 雄

  住友電気工業株式会社

• 横山 満徳

  住友電気工業株式会社

• 中田 健

  住友電気工業株式会社

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社

• 吉田 和宣

  フォト・エレクトロン事業部

• 八重樫 誠司

  住友電気工業株式会社

• 片山 浩二

  住友電気工業株式会社 半導体技術研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業株式会社 半導体技術研究所

• 片山 浩二

  住友電気工業

• 上野 昌紀

  住友電気工業

• 塩崎 学

  住友電気工業株式会社

• 服部 哲也

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業(株)横浜製作所

• 高岸 茂典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業株式会社究開発部門

• 伊東 雅史

  住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業

• 勝山 造

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 勝山 造

  住友電工

• 高岸 成典

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電エオプトエレクトロニクス研

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 斎藤 和人

  住友電気工業株式会社

• 井上 亨

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 川端 吉純

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 高橋 成治

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 伊藤 雅史

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 柴田 俊和

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 佐々木 吾郎

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 牧 久雄

  住友電気工業株式会社

• 蔀 龍彦

  住友電気工業株式会社

• 佐々木 吾郎

  住友電気工業(株)

• 瀬村 滋

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 畑山 仁

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 齋藤 達彦

  住友電気工業(株) 横浜研究所

• 斎藤 達彦

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 藤村 康

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 岨 宗介

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 矢野 浩

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 藤村 康

  住友電気工業株式会社 オプエトレクトロニクス研究所

• 藤村 康

  住友電気工業株式会社

• 吉永 弘幸

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 木田 雄次

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 柴田 俊和

  住友電気工業

• 井上 亨

  住友電気工業

• 田辺 達也

  住友電気工業

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 田和 克久

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 河原 孝彦

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 高橋 成治

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)

• 牧 久雄

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 瀬村 滋

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 瀬村 滋

  住友電気工業(株)

• 川端 吉純

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 田辺 達也

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 塩崎 学

  住友電気工業 解析技研セ

• 斎藤 達彦

  住友電気工業(株)光通信研究所

• 藤村 康

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 田和 克久

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 八木 英樹

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 稲田 博史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 村田 誠

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 三浦 貴光

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 斎藤 和人

  Seiオプティフロンティア株式会社機器事業部

• 吉永 弘幸

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業

• 稲田 博史

  住友電気工業株式会社

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著作論文

• C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C3-35 多チャンネル可変光減衰器(VOA)の低消費電力化
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
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• C-3-105 パッシブアライメント構造を用いた小型10Gb/s PIN-AMPモジュールの開発
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
• C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 通信用半導体レーザの開発
• オプトエレクトロニクス・光デバイス
• C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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