低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field-Effect Transistor (HFET)を開発した.縦型HFETの特性オン抵抗は7.6mΩcm^2,しきい値電圧は-1.1V,耐圧は672Vであった.これらの値は,これまで報告のあったGaN系縦型トランジスタを上回る性能指数となる.さらに,AlGaN膜厚の最適化によりノーマリオフ動作が可能であることを確認した.
- 2010-11-04
著者
-
木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
-
木山 誠
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中田 健
住友電気工業
-
中田 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
-
中村 孝夫
住友電工半導体研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
上野 昌紀
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
片山 浩二
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
八重樫 誠司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業
-
勝山 造
住友電気工業
-
岡田 政也
住友電気工業株式会社
-
斎藤 雄
住友電気工業株式会社
-
横山 満徳
住友電気工業株式会社
-
中田 健
住友電気工業株式会社
-
勝山 造
住友電気工業株式会社
-
八重樫 誠司
住友電気工業株式会社
-
片山 浩二
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
片山 浩二
住友電気工業
-
上野 昌紀
住友電気工業
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