イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
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概要
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化合物半導体デバイスのコスト低減に効果的な方法の一つとして、基板の大口径化が挙げられる。GaAsでは現在の4"φウエハの次の世代と目される6"φウエハの開発・生産が盛んだが、大口径化の際問題となるのは、転位密度、残留ひずみの増加である。Vertical Boat(VB)法は、従来のLEC法にくらべて転位密度が低く、残留ひずみの少ない基板を作製できることから、大口径GaAs基板の量産プロセスとして期待される。今回われわれは、VB法によってイオン注入プロセス用に作製した、半絶縁性GaAs基板の電気的特性を評価し、LEC基板と同等以上の特性を示すことを確認。VB法が、大口径GaAs基板の成長方法として有望であるとの結論を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
-
柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
櫻田 隆
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
木山 誠
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
澤田 真一
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
中井 龍資
住友電気工業(株)半導体事業部
-
沢田 真一
住友電気工業株式会社
-
中島 成
住友電気工業
-
中井 龍資
住友電気工業
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