リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高いために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワースイッチング素子への応用が期待されている。しかし二次元電子濃度が高い為に、ノーマリーオフ特性を実現し難いという課題があった。我々はこの課題を解決するために、AlGaN/GaN HEMTヘリセスゲート構造を適用した。リセスゲート構造を採用することで、オン抵抗の大幅な増加を伴うことなくVth=0.3Vの完全なノーマリーオフ特性を実現した。オン抵抗は2.0mΩcm^2と、ノーマリーオフAlGaN/GaN HEMTとしては最も低いオン抵抗を達成した。また、この時のオフ耐圧として400Vが得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-10-06

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