高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
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概要
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FETの破壊電圧を律速しているインパクトイオン化の発生を抑制する為、パルスドープFETのドレイン側にのみn'注入層を設けた非対称LDD構造を採用した。n'注入層の条件を最適化することにより、FETのオン耐圧を22V以上へと改善させ、高バイアス動作を可能として15V動作時に905mW/mmの高出力特性を達成した。インパクトイオン化によるIV曲線のキンクが減少したことにより歪み特性も改善され、Push-pull動作においてIM3=-35dBc、PAE=39.5%(Wg=20.8mm×2、Vd=10V)の低歪み、高効率特性を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-11
著者
-
中田 健
住友電気工業
-
中島 成
ユーディナデバイス株式会社
-
中田 健
住友電工 高周波機能デバイス開発部
-
乙部 健二
住友電工 高周波機能デバイス開発部
-
中島 成
住友電工 高周波機能デバイス開発部
-
中田 健
酪農学園大学獣医学部獣医臨床繁殖学教室
-
中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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