大口径半絶縁性VB-GaAs基板
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
櫻田 隆
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
木山 誠
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
澤田 真一
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
沢田 真一
住友電気工業株式会社
-
羽木 良明
住友電気工業株式会社
-
原 大次郎
住友電気工業株式会社
-
中島 成
住友電気工業
-
原 大次郎
住友電気工業株式会社伊丹研究所
関連論文
- スリップ発生を抑制したイオン注入層活性化RTAシーケンスの開発
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- 大口径半絶縁性VB-GaAs基板
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
- C-2-40 CATV用低歪みGaAsパワーアンプMMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 基板表面酸化によるplanar型GaASMESFETの高周波特性改善
- 超高速GaAs ICプロセス
- 高出力GaAs/InGaP複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP 複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET
- 高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
- C-10-13 パルスドープ構造ヘテロMESFETのB級動作時の歪み特性
- パルスドープ構造ヘテロMESFETの3次歪み特性の解析
- C-2-42 5GHz帯低コスト4W GaAs WLANアンプモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-32 InGaP-HBTを用いた高出力パワーアンプ用リニアライザモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 6-2 衛星放送受信用低雑音MMICアンプ
- BSコンバータ用GaAsMMIC : コンシューマエレクトロニクス,放送方式,放送現業
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- GaAs MESFETのドレインコンダクタンス周波数分散のデバイス構造依存性
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 高出力電界効果トランジスタの最近の動向
- 最近の化合物半導体基板技術動向
- エピタキシャル成長技術概説
- 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)