エピタキシャル成長技術概説
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-25
著者
関連論文
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- 大口径半絶縁性VB-GaAs基板
- ゼオライト膜を用いたバイオエタノールの濃縮脱水プロセスの経済性評価
- 縦型ボート法で成長した大口径低転位密度GaAs単結晶(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- VB法による6インチGaAs基板の量産化
- 最近の化合物半導体基板技術動向
- エピタキシャル成長技術概説
- ゼオライト膜を用いたバイオエタノールの濃縮脱水プロセスの経済性評価