中井 龍資 | 住友電気工業
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概要
関連著者
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中井 龍資
住友電気工業
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中井 龍資
住友電気工業(株)半導体事業部
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澤田 真一
住友電気工業(株)伊丹研究所
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沢田 真一
住友電気工業株式会社
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木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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櫻田 隆
住友電気工業(株)伊丹研究所
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木山 誠
住友電気工業(株)伊丹研究所
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中島 成
住友電気工業
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原 大次郎
住友電気工業株式会社
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川瀬 智博
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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細谷 俊史
住友電気工業(株)
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湯塩 泰久
住友電気工業(株)NEXT Center
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金澤 進一
住友電気工業(株)研究統轄部
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柏原 秀樹
住友電気工業(株)材料技術研究開発本部
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原 大次郎
住友電気工業株式会社伊丹研究所
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細谷 俊史
住友電気工業 光通信研
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中井 龍資
住友電気工業(株)材料技術研究開発本部
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岡部 和弘
住友電気工業(株)研究統轄部
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金澤 進一
住友電気工業(株)研究統轄部
-
金澤 進一
住友電気工業
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湯塩 泰久
住友電気工業(株) Next Center
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柏原 秀樹
住友電気工業 大阪研
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柏原 秀樹
住友電気工業(株)材料技術研究開発本部
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川瀬 智博
住友電気工業株式会社
著作論文
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- 縦型ボート法で成長した大口径低転位密度GaAs単結晶(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- VB法による6インチGaAs基板の量産化
- 最近の化合物半導体基板技術動向
- エピタキシャル成長技術概説
- ゼオライト膜を用いたバイオエタノールの濃縮脱水プロセスの経済性評価