i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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より高速なFETを作製するには短ゲート化とチャネルの薄層化が必要であるが,我々は量産技術として確立されているi線露光とイオン注入を用いた低コストなプロセスで,0.18μmゲート長の高均一・高速GaAs-MESFET作製に成功した.電流遮断周波数f_Tは面内平均で100GHz(標準偏差5GHz)を達成した.この時,しきい値電圧Vthのウエハ面内標準偏差は34mV,ウエハ間再現性は±45mVとなり,均一性・再現性も良好であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-07
著者
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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中島 成
住友電気工業
-
中島 成
ユーディナデバイス株式会社
-
渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
-
福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
-
渡邉 昌崇
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福士 大地
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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