高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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最近の10Gb/sプリアンプICは、安価な同軸型パッケージに組み込んでもバタフライ型と同等の特性を得ることが要求され、低消費電力、低ノイズ化を実現するための高性能デバイスと正確にモジュール全体をモデル化する設計技術が必要である。我々は、量産性に優れるi線露光とイオン注入を用いた0.18μmゲート長の高速GaAs-MESFETデバイスを作製する技術を確立した。また、ICの設計では、同軸パッケージヘの実装により影響が顕著となる寄生成分を見積もり、最適化を図った。試作したICを同軸型パッケージに実装した評価結果は、3.3V駆動で消費電力0.18W、最小受信感度-20.1dBmと良好であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
澤田 宗作
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
澤田 宗作
住友電気工業(株)
-
中島 成
住友電気工業
-
中島 成
ユーディナデバイス株式会社
-
渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
-
福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
-
澤 卓
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
関口 剛
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
渡邉 昌崇
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福士 大地
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
澤 卓
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部
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