渡邉 昌崇 | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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概要
関連著者
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中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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澤 卓
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関口 剛
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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澤 卓
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部
著作論文
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- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)