小山 健二 | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

スポンサーリンク

概要

• 小山 健二の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 石塚 貴司

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 藤井 康祐

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 猪口 康博

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会

• 石田 晶

  研究開発部門

• 伊東 雅史

  住友電気工業(株)横浜製作所

• 高岸 茂典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業

• 石田 晶

  住友電気工業

• 猪口 康博

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 高岸 成典

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電エオプトエレクトロニクス研

• 村田 道夫

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業株式会社究開発部門

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 村田 道夫

  住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 小山 健二

  財団法人光産業技術振興協会

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会

• 勝山 造

  財団法人光産業技術振興協会

• 猪口 康博

  財団法人光産業技術振興協会

• 山田 隆史

  財団法人光産業技術振興協会

• 石田 晶

  財団法人光産業技術振興協会

• 山口 章

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 山口 章

  住友電気工業

• 田辺 達也

  住友電気工業

• 橋本 順一

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 石塚 貴司

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 藤井 康祐

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 山田 隆史

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)

• 田辺 達也

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 八木 英樹

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業

もっと見る 閉じる

著作論文

• 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 情報通信 埋め込みトンネル接合を用いた長波長GaInNAs VCSEL
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク