半極性{2021}面GaN基板上高出力純緑色レーザの開発
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概要
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InGaN green laser diodes (LDs) on semipolar {2021} GaN substrates with output powers of over 100mW in the spectral region beyond 530nm is demonstrated. Wall plug efficiencies as high as 7.0-8.9% are realized in the wavelength range of 525-532nm, which exceed those reported for c-plane LDs. The lifetime at a case temperature of 55°C was estimated to be over 5000 hours for an optical output power of 50mW. These results suggest that InGaN green LDs on the {2021} plane are better suited as light sources for applications requiring wavelengths over 525nm.
著者
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中村 孝夫
住友電気工業
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池上 隆俊
住友電気工業
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嵯峨 宣弘
住友電気工業
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片山 浩二
住友電気工業
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上野 昌紀
住友電気工業
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中村 孝夫
住友電気工業（株）半導体技術研究所
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池上 隆俊
住友電気工業（株）半導体技術研究所
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嵯峨 宣弘
住友電気工業（株）半導体技術研究所
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