ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
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概要
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キャリヤ濃度〜4×10^<18>cm^<-3>のp型InPに対し、第一層に超薄膜のSb層を持つSb(3nm)/Zn(20nm)/Pd(20nm)(/は蒸着順を示す)コンタクト材を作製したところ、375℃の熱処理にて7×10^<-5>Ωcm^2の低接触抵抗が得られた。300℃における高温放置実験の結果、接触抵抗の熱安定性は現在の標準であるAuZnよりも高いことがわかった。断面透過電子顕微鏡により界面微細構造を解析した結果、熱処理による合金化反応により生成した反応層は約50nmと従来のAuZnコンタクト材より1桁薄く膜厚も均一であった。第一層のSbはInP表面に島状に形成され、金属・InP界面反応を制御する効果がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
-
山口 章
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
小出 康夫
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
村上 正紀
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
猪口 康博
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
山口 章
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
山口 章
住友電気工業
-
山口 章
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
-
守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
浅水 啓州
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
斎藤 格
住友電気工業株式会社フォトニクス事業部
-
猪口 康博
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
浅水 啓州
Materials Department University Of California
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