4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
今回アクセス系で使用される集合MC機器等の高密度化と一心双方向モジュールの低コスト化のために、4チャンネルー心双方向光トランシーバを開発した。トランシーバの間口寸法はSFFと同じで、4チャンネルを実現した。集積度を上げたことによる実装面積の確保と放熱性の影響、クロストークの増大に対する問題は、送受2つのサブパッケージ構造を採用することにより解決し、4チャンネルの受信感度は-36.3〜-33.2dBmと実用上問題ない特性を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-18
著者
-
中西 裕美
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
岡田 毅
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
工原 美樹
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
高橋 成治
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
山口 章
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
藤本 剛
住友電気工業(株)
-
平山 憲司
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
平山 憲司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
山口 章
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
山口 章
住友電気工業
-
山口 章
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
高橋 成治
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
岡田 毅
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
中西 裕美
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
藤本 剛
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
藤本 剛
住友電気工業 システムエレクトロニクス研開セ
-
工原 美樹
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
関連論文
- 2層フィルタPDを用いた低クロストーク高感度1.3 / 1.55μm送受信モジュール
- C-3-43 直線導波路とWDMフィルタを用いた1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
- C-3-33 トランスファモールド型表面実装LDモジュールの信頼性
- C-3-30 156Mbpsバースト信号対応表面実装型PIN-AMPモジュールの開発
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- イーサネットに適合した一心双方向 1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
- GaInAsP埋込型レーザのエージングとESD耐性との関係
- GaInAsPレーザの端面活性層での光吸収による劣化機構とその抑制策
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- GaInAsP/InPレーザのESD劣化解析
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- Ag/STO/YBCO積層構造の作成と評価
- C-3-18 4ch-心送受信光トランシーバモジュールの開発
- C-3-14 表面実装型ファイバーグレーティングレーザモジュール
- 直線型光導波路とフィルタ付PDを用いた1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
- C-3-51 ポリマー直線導波路を使った1.3/1.55μm-芯双方向モジュール
- InGaAs/InPアナログPDモジュールの開発
- InGaAsP/InGaAs WDM-PDモジュールの開発
- リン化インジウム(p型)オーミックコンタクトの界面微細構造(表面・界面・薄膜と分析化学)
- 半透過型PDを用いたTCM光送受信モジュールの開発(I) : PDの基本特性
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- C-3-1 DWDM用波長検出機構の検討
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- SA-3-1 樹脂パッケージを用いた小型・高信頼性光アクセスデバイス
- 半透過型フォトダイオードを用いた1.3μm-TCM用送受信モジュールの開発
- 高 Si硬引線の強度および耐熱特性向上のメカニズム
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
- 50%透過型PDを用いたTCM用双方向光モジュールの開発
- 各種規格に適合した一心双方向デバイスの設計と性能(光部品の実装,信頼性)
- 各種規格に適合した一心双方向デバイスの設計と性能(光部品の実装,信頼性)
- 各種規格に適合した一心双方向デバイスの設計と性能(光部品の実装,信頼性)
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発(光部品の実装,信頼性)
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発(光部品の実装,信頼性)
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発
- 妨害線を低減するFIB-TIM試料形状の検討
- 半透過型PDを用いたTCM用光送受信モジュールの開発(II)送受信モジュールの特性
- 樹脂モールドを用いた高信頼性光アクセスデバイス
- 樹脂モールドを用いた高信頼性光アクセスデバイス
- 樹脂モールドを用いた高信頼性光アクセスデバイス
- Single Package型一心双方向デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Single Package型一心双方向デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Single Package型一心双方向デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Single Package型一心双方向デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- インサート成型リードフレームを用いたトランスファモールド型光送受信モジュール
- C-4-18 Single Package型一心双方向デバイスの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1-PKG型Bi-Dモジュールにおける樹脂固定技術の開発(光部品の実装・信頼性,一般)
- 1-PKG型Bi-Dモジュールにおける樹脂固定技術の開発(光部品の実装・信頼性,一般)
- 1-PKG型Bi-Dモジュールにおける樹脂固定技術の開発(光部品の実装・信頼性,一般)
- 窒化アルミニウム原料粉末及び焼結体中の転位の観察とその形成メカニズム
- 表面実装型トランスファーモールドPD/PIN-AMPモジュールの開発
- ATM-PON用1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
- 半導体デバイスの材料解析
- p型InPオ-ミック電極の界面微細構造
- 光CATV用InGaAs-PIN-PDモジュ-ルの開発