リン化インジウム(p型)オーミックコンタクトの界面微細構造(<特集>表面・界面・薄膜と分析化学)
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概要
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p型InPに対してAu/Zn系のオーミックコンタクトを作製した.このオーミックコンタクトではAu/Zn金属を蒸着した後に合金化と呼ばれる熱処理を行って電気的に良好な(低い抵抗の)接触を得るが, このときに界面に生成した合金層(金属間化合物層)の生成状況が接触比抵抗を支配していると考え, 合金層の分析をオージェ電子分光法, X線回折法, 断面走査電子顕微鏡, 断面透過電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分光法により行った.合金化反応により界面に生成した数十〜数百nmの化合物の観察から定量分析・結晶構造解析にいたる一連の分析を行った.これらの結果より接触比抵抗とAu膜厚との関連性を考察した.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1991-11-05
著者
-
柴田 雅裕
住友電気工業株式会社 解析技術研究センター
-
山林 直之
光インターコネクション住電研究室, RWCP
-
山林 直之
光インターコネクション住電研究室 Rwcp
-
山口 章
住友電気工業
-
柴田 雅裕
住友電気工業 特性評価セ
-
唐内 一郎
住友電気工業
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