金属/ワイドバンドギャップ半導体界面とオーム性電極
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ワイドバンドギャップ半導体のオーム性電極材料開発の現状と課題について述べた. -般的に, 金属/ワイドバンドギャップ半導体界面のショットキー障壁高さは非常に大きく, また高濃度ドーピングが難しいため, 低抵抗なオーム性電極材料を得ることは極めて困難である. しかしながら, レーザダイオードのような高電流注入状態において動作するデバイスには, 低抵抗なオーム性電極は不可欠であり, その開発が工業化への成功の鍵を握るものと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-14
著者
-
小出 康夫
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
村上 正紀
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
村上 正紀
学校法人立命館
-
村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
-
守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
関連論文
- Growth and Microstructure of Epitaxial Ti3SiC2 Contact Layers on SiC
- p-GaNに対する低抵抗TaTiオーミック・コンタクト材の形成及び劣化機構
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果
- Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)
- 金属と半導体の接触界面--GaAs化合物半導体のオ-ミック・コンタクト材料 (境界領域を探る)
- GaAs系化合物半導体デバイス用超機能電極材料の開発 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (開発事例編)
- Resistivity Reduction and Adhesion Increase Induced by Surface and Interface Segregation of Ti Atoms in Cu(Ti) Alloy Films on Glass Substrates
- Effects of Dielectric-Layer Composition on Growth of Self-Formed Ti-Rich Barrier Layers in Cu(1at% Ti)/Low-k Samples
- 退職記念講演 材料と共に歩んできた40年間
- 極薄バリア層自己形成技術--冶金学的なアプローチ (特集 これだけは知っておきたい最新の配線・実装材料技術)
- Self-formation of Ti-rich interfacial layers in Cu(Ti) alloy films (Special issue: Solid state devices and materials)
- Cu(Ti)合金微細配線における極薄バリア層の自己組織形成
- Self-Formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Films
- ULSI Si半導体デバイス用のCu配線材のナノ化の課題
- Grain Growth Mechanism of Cu Thin Films
- The Effect of Target Purities on Grain Growth in Sputtered Copper Thin Films
- p型SiC半導体/TiAl系オーミック・コンタクト材の界面構造
- Effect of Organic Additives on Formation and Growth Behavior of Micro-Void in Electroplating Copper Films
- The Effect of Strain Distribution on Abnormal Grain Growth in Cu Thin Films
- K04 バルク材と薄膜材の機械強度の相違
- 電子デバイスの高性能化に向けた無機・有機の融合研究課題
- 最新開発事例 次世代Si-ULSIデバイス用ナノCu配線材料の課題 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 金属・半導体接合界面制御によるオーム性電極材料開発 : n型GaAs化合物半導体を例として
- Effect of Annealing Atmosphere on Void Formation in Copper Interconnects
- コンタクト工学の現状--半導体デバイスの界面科学
- GaNオーム性電極形成技術
- ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
- SC-5-3 p-GaNへの低抵抗オーム性電極
- V. デバイス, デバイス材料 金属・半導体界面反応層の微細構造と電気特性
- p-ZnSeおよびp-GaNワイドギャップ半導体のオーム性電極
- なぜショットキーバリアは形成されるのか
- 金属/ワイドバンドギャップ半導体界面とオーム性電極
- 金属/半導体および半導体/半導体接合界面におけるエネルギー障壁
- 半導体ダイヤモンド/金属界面の電気伝導機構
- 化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化
- 年頭のご挨拶
- 会長就任に当たって
- 展望 21世紀における我が国の物づくり--米国より何を学ぶべきか
- 日本金属学会における材料戦略への期待
- Cu配線用バリア材の開発
- Si半導体デバイス用配線材料ナノ化での課題 (特集 ナノテクノロジーの最前線)
- 新時代を迎えたエレクトロニクス配線技術
- Cu多層配線用バリア技術
- Cu配線用拡散バリア材料
- 特集号編集にあたって
- シリコンウェーハ戦略について
- なぜ外国へ渡ったか「Research Fund or Death!」
- 特集号企画にあたって
- 実態のわからぬ分野名
- 7 国際化渦中の日本のエレクトロニクス企業で材料屋は生き残れるだろうか?(国際化時代の渦中にあって)
- 蒸着された金属薄膜の強度
- 超伝導ジョセフソン素子材料の開発研究
- Growth of Ti-Based Interface Layer in Cu(Ti)/Glass Samples
- 電子材料と共に歩んだ30年間
- Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性(配線・実装技術と関連材料技術)
- ガラス基板上への高密着Cu膜の低温接合