p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
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概要
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p型GaNに一般的に使われているNi/Au電極のコンタクト抵抗値(ρ_c)はρ_c〜10^<-2>Ω-cm^2である。レーザーダイオード用に、それよりも抵抗値の低いオーム性電極を開発するための努力が為されているが、現在のところ、その解決策は見つかっていない。今回、p型GaN(正孔濃度:7×10^<17>cm^<-3>)に対してTa/Tiを電極として用いることにより、コンタクト抵抗値ρ_c=3×10^<-5>Ω-cm^2を達成した。この電極材は青色レーザーダイオード(LD)の工業化に対して十分低い抵抗値であるが、解決しなければならない問題点は、室温保存中におけるコンタクト抵抗値の劣化である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
鈴木 正明
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
荒井 知之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
小出 康夫
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
村上 正紀
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
上村 俊也
豊田合成(株)オプトE事業部
-
柴田 直樹
豊田合成(株)オプトE事業部
-
柴田 直樹
豊田合成(株)オプトe事業部 第1技術部
-
川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
小林 節子
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
上村 俊也
豊田合成(株)開発部
-
村上 正紀
学校法人立命館
-
荒井 知之
(株)富士通研究所
-
村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
-
守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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