GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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GaN基板上に形成された青紫色窒化物系半導体レーザについて、導波路シミュレーションを用いて導波モードを解析し、垂直方向の放射角の検討を行った。 活性層への光閉じ込めを維持しつつ、垂直放射角を低減できる、三重クラッド層構造を提案した。本構造が適用されたレーザの特性として、閾値電流29mA、光出力30mWにおける動作電流50mA、垂直放射角16.2°が得られた。 ファーフィールドパターンの楕円率が1.6と小さく、かつ低動作電流の青紫色半導体レーザが実現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
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川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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伊藤 茂稔
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
川上 俊之
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
種谷 元隆
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
伊藤 茂稔
シャープ
-
高谷 邦啓
シャープ
-
山崎 幸生
シャープ
-
湯浅 貴之
シャープ
-
山崎 幸生
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
高谷 邦啓
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
近江 晋
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
上田 吉浩
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
湯浅 貴之
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
種谷 元隆
シャープ
-
近江 晋
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
上田 吉浩
シャープ
-
種谷 元隆
シャープ株式会社
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