GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ
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概要
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- 2003-09-25
著者
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川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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伊藤 茂稔
シャープ株式会社基盤技術研究所
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川上 俊之
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
種谷 元隆
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
伊藤 茂稔
シャープ
-
高谷 邦啓
シャープ
-
山崎 幸生
シャープ
-
湯浅 貴之
シャープ
-
山崎 幸生
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
高谷 邦啓
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
近江 晋
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
上田 吉浩
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
湯浅 貴之
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
種谷 元隆
シャープ
-
近江 晋
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
上田 吉浩
シャープ
-
種谷 元隆
シャープ株式会社
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