p型GaNにおけるPdオーミック電極の特性

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概要

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p型GaNに対するオーミック電極としてPd電極を採用し、その電気的な特性について検討を行い、実際のデバイスに対する適用の可能性を探った。GaN系発光素子のコンタクト層として用いられるp型GaNは極めて大きな仕事関数を有し、電極材料との界面にはショットキー障壁が形成されやすい。このため、これまで一般に用いられてきたNi/Au電極では、p型電極のコンタクト抵抗を十分に低減することが困難である。GaNとの反応性の高いPdを電極材料として用いることにより、ショットキー障壁の影響が緩和され、Ni電極と比較して低抵抗化を図ることができる。また、Pd電極は通電時の経時変化においてもNi/Au電極よりも優れた特性を示し、p型GaNに対する低抵抗オーミック電極として有用な材料である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-10-22

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