伊藤 茂稔 | シャープ
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概要
関連著者
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伊藤 茂稔
シャープ
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伊藤 茂稔
シャープ株式会社基盤技術研究所
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種谷 元隆
シャープ株式会社基盤技術研究所
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種谷 元隆
シャープ
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高谷 邦啓
シャープ
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近江 晋
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
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種谷 元隆
シャープ株式会社
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山崎 幸生
シャープ
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高谷 邦啓
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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近江 晋
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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川上 俊之
シャープ株式会社基盤技術研究所
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川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
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湯浅 貴之
シャープ
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上田 吉浩
シャープ
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山崎 幸生
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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上田 吉浩
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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湯浅 貴之
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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大野 智輝
シャープ株式会社基盤技術研究所
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奥村 敏之
シャープ株式会社技術本部基盤技術研究所
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石田 真也
シャープ株式会社技術本部基盤技術研究所
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石田 真也
シャープ 基盤技研
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山田 実
金沢大学工学部
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山田 実
金沢大学大学院自然科学研究科
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山田 実
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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Tronciu V.Z.
金沢大学工学部
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神川 剛
シャープ
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上田 吉裕
シャープ
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Tronciu V.
金沢大学工学部
著作論文
- 青紫色自励振動lnGaNレーザの動特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- GaN基板上へのクラックフリー成長層を用いた高出力青紫色半導体レーザ
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ
- 青紫色リッジ導波路型半導体レーザの発振モード
- p型GaNにおけるPdオーミック電極の特性
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