GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaN基板上に形成された青紫色窒化物系半導体レーザについて、導波路シミュレーションを用いて導波モードを解析し、垂直方向の放射角の検討を行った。活性層への光閉じ込めを維持しつつ、垂直放射角を低減できる、三重クラッド層構造を提案した。本構造が適用されたレーザの特性として、閾値電流29mA、光出力30mWにおける動作電流50mA、垂直放射角16.2°が得られた。ファーフィールドパターンの楕円率が1.6と小さく、かつ低動作電流の青紫色半導体レーザが実現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
伊藤 茂稔
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
川上 俊之
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
種谷 元隆
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
伊藤 茂稔
シャープ
-
高谷 邦啓
シャープ
-
山崎 幸生
シャープ
-
湯浅 貴之
シャープ
-
山崎 幸生
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
高谷 邦啓
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
近江 晋
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
上田 吉浩
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
湯浅 貴之
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
種谷 元隆
シャープ
-
近江 晋
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
上田 吉浩
シャープ
-
種谷 元隆
シャープ株式会社
関連論文
- p-GaNに対する低抵抗TaTiオーミック・コンタクト材の形成及び劣化機構
- 青紫色自励振動lnGaNレーザの動特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- GaN基板上へのクラックフリー成長層を用いた高出力青紫色半導体レーザ
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ
- 青紫色リッジ導波路型半導体レーザの発振モード
- p型GaNにおけるPdオーミック電極の特性
- p型GaNにおけるPdオーミック電極の特性
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- 青紫LD励起固体照明用Smドープガラス蛍光体の発光特性
- 窒化ガリウム基板を用いた青紫色半導体レーザ素子 (特集2 化合物半導体)
- 付加価値創造のスピードアップを目指して