p-GaNに対する低抵抗TaTiオーミック・コンタクト材の形成及び劣化機構
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概要
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p型GaNに対するTa/Tiオーミック・コンタクト材の形成機構およびその抵抗の劣化機構を調べた. 80OCアニール後の反応により, p-GaN/Ta_2N/Ga_3Ta_5/(TiN、Ti_2N)構造が形成された. またコンタクト界面近傍のTa_2N側に水素が偏析していることが判明した. これより, 低いコンタクト抵抗率(pc)が得られる原因は, p-GaN膚中の水素が除去されることにより, アクセプタMgが再活性化されることによると考えられる. また種々温度におけるコンタクト抵抗の劣化特性から, GaN中の水素の拡散障壁は約0・7eVと見穣もられ, 第一原理計算に基づく値に良く一致した. 従って, pc値の劣化は水素がGaN側に再び拡散することにより, Mgが不活性化したことによると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-22
著者
-
多賀 康訓
豊田中研
-
鈴木 正明
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
多賀 康訓
(株)豊田中央研究所
-
多賀 康訓
中部大学総合工学研究所
-
荒井 知之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
松永 健太良
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
小出 康夫
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
村上 正紀
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
上村 俊也
豊田合成(株)オプトE事業部
-
柴田 直樹
豊田合成(株)オプトE事業部
-
柴田 直樹
豊田合成(株)オプトe事業部 第1技術部
-
川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
-
上村 俊也
豊田合成(株)開発部
-
村上 正紀
学校法人立命館
-
荒井 知之
(株)富士通研究所
-
村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
-
守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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