SPE法によるSOI層中の不純物拡散
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概要
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通常Si LSIプロセスで使用される減圧CVD装置を用いて作製したSPE膜中の不純物拡散について評価した. イオン注入により, As, BF_2, P, B を導入し, これを熱拡散させ, 不純物分布を測定した. SOI層の不純物分布は種類によらず, いずれもSi基板中の分布と同じであり増速拡散などは見られなかった. これから, 本方法によるSOI層の不純物拡散速度はSi基板と同じであることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-25
著者
-
多賀 康訓
中部大学総合工学研究所
-
多賀 康訓
豊田中央研究所
-
樹神 雅人
豊田中央研究所
-
上杉 勉
豊田中央研究所
-
船橋 博文
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
-
上杉 勉
豊田中研
-
樹神 雅人
豊田中研
-
樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
-
船橋 博文
(株)豊田中央研究所
-
船橋 博文
豊田中央研究所 半導体デバイス・センサ研究室
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