高温動作MOSFETのデバイス構造の検討
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概要
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高温環境下で安定的に動作するMOSFETのデバイス構造を検討するため、MOSFET(最小チャネル長1.0μm)の主要特性の温度依存性を25℃〜200℃の範囲で測定し、次のことが明らかになった。1)主要特性の温度変化率は、チャネル長にほとんど依存しない。2)しきい値電圧の温度変化率は主にゲート酸化膜厚と不純物濃度に依存する。3)トランスコンダクタンスの温度変化率は、NMOSとPMOSで異なる。4)サブスレシュホールドスイングの値は、温度上昇にと共に急激に悪化する。5)エッジに沿って流れるドレインジャンクションリークにおいては、高温範囲でも生成再結合電流の割合が大きい。これらの測定に基づいて高温動作に適したMOSFETの構造について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-21
著者
-
多賀 康訓
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
豊田中央研究所
-
兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
-
渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中研
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