Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係
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概要
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Bイオン注入によって誘起されるOSF発生密度におよぼす, Bイオン注入量, 基板酸素濃度およびBイオン注入後の熱処理の影響を調べた。OSFはBイオン注入欠陥と基板中の酸素が共存する状態で酸化熱処理を行った場合に発生し, 基板酸素濃度が高いほど発生しやすかった。この結果より, OSFはBイオン注入欠陥によって酸素析出が促進され, 形成された酸素析出物を核として発生することがわかった。Bイオン注入によって誘起されるOSFの酸化膜信頼性におよぼす影響を調べ, OSFが発生した試料では酸化膜の絶縁破壊特性が劣化することを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
-
吉田 友幸
(株)豊田中央研究所
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渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
中嶋 健次
株式会社豊田中央研究所
-
中嶋 健次
(株)豊田中央研究所
-
船橋 博文
(株)豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所半導体デバイス・センサ研究室
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