電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
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概要
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電流検出型原子間力顕微鏡法(Conductive Atomic Force Microscopy :C-AFM)を用いて,Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)キャパシタで観測される絶縁膜劣化を,ナノスケールで直接観察する手法を開発した.定電流ストレスを印加したシリコン酸化膜を本手法によって観察した結果,Stress-Induced Leakage Current(SILC)に関連した局所リーク電流スポットが観測された.これにより,ストレス誘起される膜中欠陥の局所性と分布,それらに起因した局所的なリーク伝導機構を実験的に明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-01
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
世古 明義
名古屋大学
-
渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
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