電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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電流検出型原子間力顕微鏡法(Conductive Atomic Force Microscopy : C-AFM)を用いて、ゲート絶縁膜における局所リ-ク電流をナノスケール観察し、絶縁膜の信頼性劣化機構を解明した。MOSキャパシタにおいてストレス印加したゲートSiO_2膜をC-AFM観察したところ、電流像に局所なりーク電流スポットを観測がされ、その電流-電圧特性の解析などからストレス誘起欠陥に起因する局所リーク電流であることがわかった。更に、ストレス誘起欠陥における電荷充放電現象とマクロなデバイス特性劣化との相関、局所リーク電流と絶縁破壊現象との関連が明らかになった。また、高誘電率絶縁膜において、電流リークパスと結晶構造との相関を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
世古 明義
名古屋大学
-
渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
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