電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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パルスレーザー蒸着法及び堆積後熱処理によって形成したLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流を電流検出型原子間力顕微鏡法(conductive atomic force microscopy: C-AFM)を用いて観察し、局所リーク電流がデバイス特性に与える影響を調べた。C-AFMの観察条件を詳細に把握することにより、得られた電流像の電流-電圧(I-V)特性はMOSキャパシタで測定したI-V特性とよく一致した。また、電流像にはリーク電流スポットが観察された。これらリーク電流スポットの電流割合は全電流に対し12%程度であることが明らかになった。更に、電圧依存性の異なる2種類のリーク電流スポットが存在することを確認し、それらの起源について議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
世古 明義
名古屋大学
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
小川 正毅
名古屋大学
-
佐合 寿文
名古屋大学大学院工学研究科
-
藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科:(現)東芝セミコンダクター社
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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