LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜はEOTの低減に有効であり、high-k/Ge構造のMOSFETは次世代デバイスとして有望視されている。しかしながら、high-kゲート絶縁膜とGe基板との界面反応によって、ゲート絶縁膜の誘電率は低下し、また、界面準位密度は増加する。そこで、high-kゲート絶縁膜とGe基板との界面にALD法によって形成した極薄のAl_2O_3界面制御層を挿入し、その効果について検討した。なお、本研究ではhigh-kゲート絶縁膜としてLaAlO膜を用いた。厚さ1nm以下のAl_2O_3界面制御層によってGe界面での界面反応は効果的に抑制でき、界面反応によって形成されたGe-oxide層はAl_2O_3界面制御層の厚さの増加とともに減少することが分かった。また、0.4nm程度の厚さのAl_2O_3界面制御層において界面準位密度の低減効果を確認した。さらに、600℃の熱処理に対しても構造は変化せず、熱的にも安定であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-12
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
加藤 亮祐
名古屋大学大学院工学研究科
-
京極 真也
名古屋大学大学院工学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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